EDI模块 （电除盐）出水硅含量高通常由以下原因导致：
进水水质问题
硅含量过高：进水 SiO₂ 浓度超标（建议控制<0.5ppm）会导致阴离子交换膜表面沉积硅垢，难以通过常规清洗去除。
硬度离子 超标：钙、镁等硬度离子与硅共同作用易形成复合垢，堵塞流道并降低产水效率。
有机物 污染：水中有机物（如TOC>0.5ppm）会形成污染层，阻碍离子迁移并可能造成树脂中毒。
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运行参数异常
进水压力 过高：长期高压可能导致膜片穿孔或树脂压实，增加硅离子泄漏风险。
电流 控制不当：电流过高或过低均会影响离子迁移效率，间接导致硅去除率下降。
设备维护问题
保安过滤器 缺失：未安装保安过滤器会导致杂质（含硅化合物）直接进入EDI模块，加速树脂污染。
清洗周期过长：硅垢未及时清除会逐渐堵塞膜堆，降低产水纯度。
需结合水质监测数据调整预处理工艺（如增加 RO系统 维护），并优化
EDI模块运行参数（如压力、电流），必要时更换受损模块组件
